2025年，中國激光芯片產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵躍升期。從長三角密集落地的先進制造項目，到華中地區(qū)的技術(shù)攻堅突破，一場以自主創(chuàng)新為內(nèi)核、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同為支撐的產(chǎn)業(yè)變革正在重塑全球光電競爭格局。
在長三角核心區(qū)域，一條覆蓋化合物半導(dǎo)體材料、芯片制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈加速成型。某頭部廠商位于常州的高端光芯片制造中心近期完成設(shè)備進駐，其3英寸化合物半導(dǎo)體項目規(guī)劃年產(chǎn)能超5000萬顆，涵蓋消費電子、車載激光雷達等主流應(yīng)用場景;另一投資超8億元的IDM基地已實現(xiàn)760nm-1700nm全波長激光芯片量產(chǎn)，自主研發(fā)的DFB芯片通過行業(yè)頭部企業(yè)驗證，打破海外技術(shù)壟斷。
地方政府同步強化政策賦能。江蘇省設(shè)立50億元專項基金支持光電芯片等前沿領(lǐng)域，蘇州市提出2027年培育三家百億級光子企業(yè)的目標。區(qū)域內(nèi)"研發(fā)-制造"雙中心模式日趨成熟，多個超億元項目通過外延材料創(chuàng)新與封裝工藝升級，推動國產(chǎn)光芯片良率突破90%，接近國際一流水準。
在技術(shù)攻堅領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商正從材料、設(shè)計到制造端多點突破。以某企業(yè)為例，其AR-VCSEL芯片通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新將光束發(fā)散角縮小至12°，亮度提升超50%，率先進入國際手機巨頭供應(yīng)鏈;另一廠商的50G/100G高速光通信芯片已通過車規(guī)級認證，為自動駕駛激光雷達規(guī)?；逃玫於ɑA(chǔ)。
區(qū)域協(xié)同策略進一步凸顯產(chǎn)業(yè)韌性。長三角依托規(guī)?；圃炫c市場化能力，重點布局消費電子與光通信芯片;華中地區(qū)則發(fā)揮高校科研優(yōu)勢，聚焦高功率激光與特種芯片研發(fā)，形成"基礎(chǔ)研究-軍工轉(zhuǎn)化-民用拓展"的特色路徑。行業(yè)分析指出，這種差異化布局有效避免了低端產(chǎn)能內(nèi)卷，推動國產(chǎn)替代向高端市場滲透。
資本市場對激光芯片賽道的押注持續(xù)升溫。2024年以來，行業(yè)單筆融資規(guī)模屢創(chuàng)新高，國家級產(chǎn)業(yè)基金、新能源車企及傳感器巨頭紛紛入局。某頭部廠商完成C輪系列融資，資金重點投向車規(guī)級芯片產(chǎn)線擴建與硅光技術(shù)研發(fā);另一企業(yè)通過并購整合實現(xiàn)從外延生長到模塊封裝的垂直布局，成本控制能力提升30%。
據(jù)統(tǒng)計，2025年全球激光芯片市場規(guī)模預(yù)計突破200億美元，其中數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)與車載激光雷達貢獻超60%增量。國產(chǎn)廠商憑借快速迭代能力，在VCSEL、EEL等主流賽道市占率已從2020年的不足15%提升至35%，部分高端產(chǎn)品進入北美、歐洲市場。
盡管國產(chǎn)化替代成效顯著，產(chǎn)業(yè)仍面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)。上游GaAs、InP襯底等材料進口依賴度超70%，光刻機、電子束曝光設(shè)備等核心裝備國產(chǎn)化率不足20%。行業(yè)呼吁通過三方面構(gòu)建壁壘：一是聯(lián)合科研機構(gòu)攻關(guān)薄膜鈮酸鋰、氮化鎵等下一代材料;二是建立自主可控的裝備驗證平臺;三是打造跨領(lǐng)域的標準聯(lián)盟，強化應(yīng)用生態(tài)話語權(quán)。
當前，5G-A、人形機器人等新場景正催生萬億級市場空間。隨著國產(chǎn)光芯片在良率、可靠性等指標上持續(xù)比肩國際龍頭，中國有望在未來三年內(nèi)實現(xiàn)從"系統(tǒng)集成優(yōu)勢"向"底層技術(shù)輸出"的跨越，為全球光電產(chǎn)業(yè)格局注入新動能。
本文數(shù)據(jù)來源：《2025中國光電芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書》《江蘇省工信廳2025年度重點工作計劃》《蘇州市光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2025-2027）》《2025車載激光雷達市場預(yù)測》《2025中國光芯片競爭格局分析》《全球光芯片市場趨勢報告》等
